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全球分立器件市场剖析中国半导体或先从这里突破

发布时间:2019-04-30 10:29 来源:未知 编辑:admin

  近年来,中国半导体分立器件的全球线 年全球市场规模超过 186 亿美金,预计 2018 年全球市场超过 200 亿美金。全球增速保持在 3-4%,而中国市场年化增速预计在 10%以上。中国成为全球分立器件最大市场,预计中国行业整体产值超过 100 亿美金, 2011-2015 年的 4 年期间中国占比提升了约 40 个百分点。考察出口/进口金额,相比较集成电路的 30%,中国半导体分立器件超过 100%。 半导体分立器件全球市场看中国。

  同时半导体分立器件长期看供给侧稳定,前十大产商占据全球 50%以上的收入,稳定供给领域,由于长期供给处于稳定状态,当需求出现些许复苏之后,导致了价格出现比较明显的趋势性涨价。 11 月美国达尔科技的火灾或许将成为行业涨价的诱因。参考国内分立器件价格指数,涨价已经开始,特别是十二月份以来价格飙升, 价格从 89.39元直接涨价到 100.94 元,涨价幅度超过 13%。

  再者全球半导体分立器件应用最大的领域是汽车,且高端厂商的占比均以汽车为主。 全球功率半导体应用领域中,汽车占比达 40%, 其次是工业占比 27%,消费电子 13%;且汽车领域占比近年来持续上升。以高端厂商为例,汽车等高端应用占比均有较高比例,特别是 NXP 其汽车、 Iot 等领域占比达到了 86%的收入份额。 中国半导体分立器件较全球仍较低端,汽车占比 15%。 新能源汽车和智能驾驶将有望燃爆半导体分立器件, 传统内燃机汽车单台分立器件用量仅 71 美金,而新能源汽车单台用量达到 387 美金,是传统汽车用量的 5 倍以上。

  另外加上行业集中度有望持续提升。 2016 年 10 月底,高通 470 亿美金收购 NXP,这是半导体历史上最大的一次收购,预示全球行业整合进入新一轮竞争。相比较国外的垄断竞争,中国本土市场仍处于高度分散化,从收入占比来看,上市公司收入占国内总收入比重在 3-4%之间,远低于全球稳定市场份额下的 Top10 占比超过 50%。

  展望 2017-2018 年全球半导体分立器件行业,可以总结为几个关键词:汽车、涨价、快速提升压强系数。

  半导体分立器件行业属于半导体行业的细分行业。按照制造技术划分,具体细分为三大分支:

  半导体分立器件作为介于电子整机行业以及上游原材料行业之间的中间产品,是半导体产业的基础及核心领域之一。半导体分立器件由于功能的明确性,其属于半导体市场的细分市场;全球半导体分立器件在半导体市场中占比约 5-6%。

  虽然属细分市场,但由于具有很强的必需属性,全球市场规模将超过 200 亿美金。 2015 年全球分立器件收入规模约 186 亿美金, 同比增下降 7.7%; WSTS 预计, 未来三年将保持 3-4%左右的增速, 2018 年市场规模超过 200亿美金。 中国市场较全球增长更快,除 2008 年的金融危机,年化增速在 10%以上。

  中国已成为全球最大的功率半导体器件市场,中国半导体分立器件收入占全球比重上升趋势明显。我们拟合了中国半导体分立器件收入占全球市场的比重图,由于涉及不同统计机构样本差异以及汇率等问题, 不去考虑比重绝对值的情况,可以看到,国内占比在 2011-2015 年的 4 年期间中国占比提升了约 40 个百分点。

  注 1:国内数据来自于国家统计局,全球数据来自于 WSTS;存在统计样本差异的可能,具体的占比绝对值存在误差,但客观表明趋势。

  全球半导体分立器件格局稳定,龙头均为海外大厂。 全球前十大半导体分立器件厂商均为国外企业,且格局十分稳定。除开并购导致的份额变动外,前十大厂商的份额变动均未超过 1 个百分点。(注: 2015 年英飞凌收购 IR)。

  全球半导体分立器件应用最大的领域是汽车,且高端厂商的占比均以汽车为主。 全球功率半导体应用领域中,汽车占比达 40%,其次是工业占比 27%,消费电子 13%; 汽车领域占比近年来持续上升态势。以高端厂商为例,汽车等高端应用占比均有较高比例,特别是 NXP 其汽车、 Iot 等领域占比达到了 86%的收入份额。

  中国半导体分立器件较全球仍较低端,汽车占比 15%。 2014 年中国分立器件应用最大的领域为计算机与外设,约 30%;预计随着国内企业的研发与创新能力提升、以及产能转移带来的压强系数的快速加强,未来国内汽车等高端应用占比也将向全球市场靠拢。

  供给侧格局稳定,传统 8 寸线为主。 我们统计了全球主要产线 寸生产设备为主;并没有随着集成电路追求极致的成本要求,向 12 寸甚至更大的产线扩充。分立器件领域拼不是单纯的成本把控,更要求企业通过现有的客户资源合理配置产品结构,以及创新性研发出更适合客户的高端产品类型。

  中国分立器件出口金额已持续超过进口金额, 与之对应的集成电路领域出口/进口仅在 30%附近徘徊。 我们统计发现,中国在分立器件领域已经具备了全球竞争能力, 至 2008 年开始(抛去金融危机影响)中国分立器件的出口金额已经连续 8 年超过进口; 与之相对应的集成电路领域,虽然从 2012 年开始出口/进口金额有所提升,但仍维持在 30%比例附近。我们的集成电路多数产品还很难在全球竞争中立足;最经典的一句推荐集成电路的话“我们每年进口的半导体金额比石油还多”。恰恰是在这种背景下, 我们欣喜的发现,中国分立器件行业已经率先走到全球竞争的舞台。

  在参与全球竞争的同时,国内分立器件的产品结构已在不断优化。我们测算,十年来国内的分立器件出口单价处于持续提升趋势;而进口单价缺一直相对稳定。 预计随着企业压强系数的加强未来更多的高端产品将持续提升出口占比。

  稳步经历洗牌期之后,国内留下具备竞争力的企业。经历 2010 年的洗牌期之后,国内的竞争格局与企业的竞争能力更为突出。我们认为,国内企业经历了红海拼杀之后,正在经历走向蓝海的过程。在此背景下,留下来的、具备竞争力的企业将享受行业成长与国内替代的双驱动。

  A 股相关公司等优秀企业毛利率水平已经接近全球龙头平均水平。我们以全球分立器件前 5 大企业的平均毛利率作为考核是否具备全球领先竞争力的标杆,我们发现,扬杰科技等作为国内优秀分立器件公司的代表,已经接近了全球领先水平。我们预计,随着有效研发投入的导入,压强系数提升将催生国内优秀企业尽快加入一线梯队。

  国内集中度仍然较低,具备足够的成长爆发力。我们以 A 股 4 家公司为样品来观察国内优质半导体分立器件企业的微观情况。从收入占比来看,上市公司收入占国内总收入比重在 3-4%之间,远低于全球稳定市场份额下的 Top10占比超过 50%。

  我们进一步拆分四家 A 股上市公司情况,虽然整体集中度未现提升,但明星企业已出现靓丽的财务指标。收入来看,华微电子仍是 A 股最大的分立器件公司,扬杰科技已从 2009 年的第四位跃升至第二位。除台基股份以外,其他三家公司均基本保持每年增长态势;其中以扬杰科技的增速最为显著,自 2009 年开始,公司增长均显著高于其他几家公司。

  净利润来看,扬杰科技增长趋势更为凶猛,已快速超过其他几家公司成为 A 股获利最高的分立器件龙头。从各年度增速来看,其增长维持在高位,稳定性亦体现了其卓越的竞争能力。其次,苏州固锝由于其产品拓展至传感器领域与光伏材料领域,也实现了盈利能力的一定提升。

  作为半导体分立器件高端产品的代表,国内亦全面参与到 IGBT 的研发、设计、生产以及系统集成等领域。

  1、支持有特色工艺、有经济规模的 8 英寸生产线、加强与整机产业的联动,以市场促进器件开发、以设计带动制造、推动“虚拟 IDM”运行模式的发展;

  3、建设国家级半导体功率器件研发中心,实现从“材料-器件-晶圆-封装-应用”全产业链的研究开发;

  稳定格局下供给侧的变动 2017 年国内公司迎来良机2016 年开始,供给侧导致的涨价似乎成为一种新常态。 我们抛开由于政策强制去产能导致的周期品价格暴涨以外,实际上,在硬件领域出现了很多涨价潮,比如 LCD 面板、 LED 等等。究其原因在于,这些稳定供给领域,由于长期供给处于稳定状态,当需求出现些许复苏之后,导致了价格出现比较明显的趋势性涨价。 我们认为,全球半导体分立器件由于其稳定的供给格局,也具备此轮涨价潮的可能性。

  达尔科技收入、净利润美国老牌分立器件大厂起火或将诱发此轮涨价潮。 11 月,美国达尔科技在美国的一工厂设备老化、起火,已被要求停产整改;目前该工厂已提交了维修计划,具体恢复时间不明确。公司预计将造成 1000 万美金的业绩亏损。由于其主要涉及的产品为通用料,或将导致全球二三极管的大缺货。

  达尔科技毛利率与 ROE 变动情况从国内分立器件价格指数可以看到,涨价已经开始,特别是十二月份以来价格飙升,价格从 89.39 元直接涨价到 100.94 元,涨价幅度超过 13%。我们不去期望供给侧导致涨价的持续度与幅度,但我们认为,良好的产业环境将带动国内公司在 2017 年迎来科技红利转型的良机。

  半导体分立器件进入燃爆节奏:汽车-新能汽车-智能汽车在前文讨论中,汽车是分立器件最大的应用领域(占比达到 4 成);主要厂商均有瞄准这个高端领域。而汽车这一巨大的驱动引擎将从现在开始进入燃爆节奏,我们将分两部分讨论——在传统内燃机到新能源汽车升级,以及向智能汽车-无人驾驶汽车升级,分立器件行业具备强大爆发力。

  传统内燃机到新能源汽车升级,单台分立器件价值量提升 5 倍以上。 传统内燃机汽车单台分立器件用量仅 71美金,而新能源汽车单台用量达到 387 美金,是传统汽车用量的 5 倍以上。如果从整台汽车半导体用量的角度去看,新能源汽车的用量也将会是传统汽车的 2 倍以上的增长。 (此估算,还未包括充电桩的用量提升)

  新能源车在半导体分立器件的主要增量,包括:充电器(桩)Chargers、变流器 converters 以及逆变器 inverters。更加通俗的理解,由于新能源汽车是由直流电驱动, 将涉及到很多地方交直流转换,这种转换其电压普遍高于消费电子与计算机领域,因此其产品的特性要求以及汽车的可靠性要求,使得新能源汽车半导体分立器件的用量与价值量有巨大的增加。

  传统汽车升级为电动车分立器件与半导体合计单台用量变化新能源汽车将在未来 4 年渗透率超过 10%。以中国为例,在最近出台的《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》中,要求到 2020 年,国内年产销辆超过 200 万辆以上;形成满足电动汽车需求的充电基础设施体系。国家发改委印发的《电动汽车充电基础设施发展指南( 2015-2020)》中规划,到 2020 年国内充换电站数量达到 1.2 万个,分散式充电桩超过 480 万个,未来五年国内新能源汽车充电桩(站)的直接市场规模有望达到 1320 亿元。全球来看, tesla2015 年就已率先超过 2.5 万辆,规划今年销量 8 万辆;预计随着传统日德系厂商积极拓展新能源汽车领域,未来几年新能源汽车均将保持每年 50%以上高速发展期。

  汽车电子化催生半导体用量快速提升,智能驾驶将让此轮增长达到高潮。我们前面提到的汽车电子占分立器件比重达到 4 成,实则已经体现了汽车电子化的过程中分立器件的受益特点。但随着智能驾驶逐步走向商用,未来对半导体的需求将呈现爆发态势。

  智能驾驶各阶段具体电子元器件用量提升情况按照智能网联汽车技术路线图,中国实现汽车自动驾驶,共分为 4 个阶段:

  2016-2017 年,实现驾驶辅助功能( DA),包括自适应巡航、自动紧急制动、车道保持、辅助泊车等;2018-2019 年实现部分自动驾驶( PA),包括车道内自动驾驶、换道辅助、全自动泊车等;

  2020-2022 年实现有条件自动驾驶( CA),包括高速公路自动驾驶、城郊公路自动驾驶、协同式队列行驶、交叉口通行辅助等;

  2025 年乃至更长时间实现高度及完全自动驾驶( HA/FA),包括车路协同控制、市区自动驾驶和无人驾驶。

  智能驾驶电子元器件用量将随着智能驾驶等级提升,取得硬件上的标配。特别当智能驾驶进入 2020 年开始( Level 3),单台汽车半导体用量将提升 4 倍。

  2016 年 10 月底,高通宣布以总价值约 470 亿美元,约合 3190 亿人民币, 溢价 11.5%的价格收购 NXP 全部股权, 全部以现金支付。这将是半导体历史上最大一次收购,交易预计在 2017 年底完成。

  全球汽车半导体 Top4 与份额NXP 是目前全球汽车半导体龙头公司,市场份额达到 14.3%。而高通在收购之前在汽车半导体的收入比例微乎其微,高通此次大幅度溢价并以超高现金的收购, 明确了其未来将汽车电子放在最高产品级别的战略。

  NXP 已拥有汽车电子领域系统级的应用我们曾提到, 并购是快速提升压强系数的方法之一, 既然明确了汽车是未来分立器件领域的燃爆点,我们可以大胆预测未来汽车分立器件领域可能会有一波并购潮的出现。而中国企业由于有国家半导体产业基金的资本扶持,将有望成为这轮并购潮的主角之一。

  材料变革支撑行业长久健康之路-SiC 与 GaN材料变革将是半导体分立器件突破“摩尔定律”的钥匙。相对于以硅( Si)、锗( Ge)等材料为主的第一代半导体,以碳化硅( SiC)等材料为代表的第三代半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注,成为新型的半导体材料,并率先在功率器件等领域开始逐步替代第一代半导体。

  半导体分立器件未来的材料方向 SiC 与 GaN新能源汽车、轨道交通、智能电网和电压转换等需要大量大功率电源转换装置的领域将成为第三代半导体的主战场。主要有三大优势:

  SiC 与 GaN 材料相对于 Si 的优势SiC 与 GaN 功率半导体器件将迎来第二轮高速研发成果转化期。 全球新材料功率半导体器件的有效研发投入转化系数在 2009 年开始快速提升,我们预计未来 5 年新材料功率半导体器件将迎来高速增长期。 SiC 功率半导体器件 2015 年全球市场规模约 2.15 亿美元,预计未来 5 年年化增速超过 20%; GaN 功率半导体器件 2015 年全球市场规模约 1700 万美元,预计未来 5 年年化增速将超过 80%。

  主流企业处于压强系数导入关键期 汽车产品将成为决定方向在前文的讨论中,我们已经提到:中国已成为全球最大的功率半导体器件市场,中国半导体分立器件收入占全球比重上升趋势明显。 国内占全球半导体分立器件比重在 2011-2015 年的 4 年期间提升了约 40 个百分点。

  半导体分立器件 A 股主要上市公司,在行业机会到来之时,是否已具备燃爆条件。

  A 股公司市值对比市值上来看,四家公司均在 100 亿以下,对应全球 1200 亿的市场规模符合“深水养大鱼”的成长逻辑。并且,国内公司具备市场需求优势,本土企业的进口替代优势将使得成长更为快速。

  1)除台基股份以外,其他三家公司均在研发投入的绝对金额上保持高额度投入。

  2)从 2011 年开始,四家公司均在研发费用占收入比重上保持稳定持续投入,苏州固锝的年均

  公司主营产品为各类分立器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、 DFN/QFN 产品等,产品广泛应用于汽车电子、 LED 照明、太阳能光伏、通讯电源、智能电网、白色家电、逆变器等诸多领域。公司是国内少数集芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业(虚拟 IDM),已在诸多新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率,公司目前主要产品是在民用市场,在军民融合的大趋势下,公司有望突破军用市场; 2016 年,公司通过并购 MCC 实现外延式发展,而且借助 MCC 的渠道优势全面切入北美市场。

  扬杰科技历史营收表现截至 2016 年年中,公司共获得国家专利 154 项,其中发明专利 25 项。推进“高端制造、研发创新、替代进口”的发展战略,加大对汽车电子芯片制造、 SiC 晶圆制造和集成电路封装等领域的投入,重点布局新能源汽车、充电站(桩)、移动便携式终端等高端市场。

  新品方面,成功研制出碳化硅肖特基二极管、氮化硅钝化 GPP 芯片、光伏模块等新产品;同时,公司正在积极推进第三代宽禁带半导体项目的研发及产业化,该项目已被列为 2015 年江苏省战略性新兴产业项目。

  1)汽车电子用雪崩二极管芯片等新品已在批量生产中;目前汽车电子芯片的销售收入占比 4%。 2) 推进第三代宽禁带半导体项目的研发及产业化,已通过投资国宇电子与国内唯一实现 SiC 量产的 55 所深度合作。目前 SiC 肖特基二极管产品已送样试用, SiC 芯片处于流片阶段,将为后续大功率模块的研发垫定扎实的基础。定增 1.5 亿投入 SiC 芯片、器件研发及产业化建设项目,预计 17 年将对公司业绩产生一定贡献。( SiC 功率半导体目前主要应用于新能源汽车、

  公司全面导入自动化,引进了分立式器件全自动生产线和集成电路封装( DFN、 QFN)自动化生产线。随着生产自动化程度逐步提高以及新技术的应用,产品的多样性及封装形式的多样性优势进一步凸显。目前,公司正在重点开发电动汽车、充电桩、工业变频器、太阳能微型逆变器等行业的品牌客户,将进一步提升公司在细分市场的竞争力与占有率。

  扬杰科技最新年报收入分解借助资本力量,快速提升压强系数。 根据年报披露,公司将更加积极和系统化地规划公司外延式增长路径,适时、有针对性地对半导体行业优秀企业进行并购、重组,稳步提升公司的整体规模和经济效益,实现“成为全球杰出的半导体企业”的战略目标。

  三安光电是国内最大的 LED 芯片生产厂商,是国内唯一一家从事全色系 LED 芯片生产企业。截至 2016 年上半年,公司拥有 MOCVD 设备约 276 台套(折算成 2 英寸 54 片机),已经投入生产 256 台套,公司目前 MOCVD已经处于满产状态。三安光电目前产能仅次于台湾晶元光电,随着三安光电的进一步扩产,产能超过晶电只是时间问题,将成为全球 LED 芯片领军企业。

  LED 芯片位于 LED 产业链上游,有非常高的进入壁垒,经过多年的积淀,凭借产能和技术的优势,三安光电建立起不可撼动的竞争优势。公司盈利能力为国内同行业第一, 2015 年公司综合毛利率达到 46.1%,为近五年来最高水平。随着 LED 渗透率的进一步提升,以及应用领域的丰富,公司作为 LED 芯片龙头,将持续受益。

  三安光电营业收入(亿元)及增速(同比)当前 LED 业务收入占比超过 90%,为公司业务支柱, 2015 年,公司定向增发 35 亿,一方面继续在 LED 业务加大投入,实现高端 LED 外延片及芯片的扩产,有效突破高端 LED 外延片及芯片的产能瓶颈,有助于公司把握市场机遇,进一步提高市场占有率,巩固和强化行业龙头地位。

  另一方面,公司抓住国内半导体崛起的历史机遇,看准高速半导体、高功率半导体在通信领域广阔的引用前景,公司布局化合物半导体领域,募投项目全部达产后,预计将实现收入 40 亿元,净利润 5.9 亿元,公司将成为国内 LED、化合物半导体双龙头。

  通讯微电子器件(一期)项目规划及业绩预测目前公司的化合物半导体已有多家客户参与试样验证,参与的客户设计案 263个, 有 19个芯片已通过性能验证,已部分客户已开始出货。

  砷化镓高速半导体器件与氮化镓高功率半导体器件具有优异的物理性能,其在微波集成电路领域、高压和高功率领域得到了广泛应用。

  砷化镓( GaAs)功率放大器在高功率传输领域具备不可替代的物理性能优势,使得砷化镓高速半导体器件产品越来越广泛应用于手机电话、无线局域网络、光纤通讯、卫星通讯、卫星定位、 GPS 汽车导航等领域。预计在未来较长的期间内,砷化镓高速半导体器件将在通讯市场占据重要地位。氮化镓高功率半导体器件也开始应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域。由于氮化镓高功率半导体器件具有低导通损耗、高电流密度等优异的物理特性,使得通讯系统可显著减少电力损耗和散热负载,运作成本可以大幅降低。

  砷化镓高速半导体器件和氮化镓高功率半导体器件在通讯领域应用前景非常广阔。 目前我国智能手机用砷化镓/氮化镓芯片 90%以上依赖进口,特别是 4G 智能手机所用的芯片几乎全部依赖进口,仅在手机通讯领域,砷化镓/氮化镓芯片就有巨大市场空间。此外在光通信领域、汽车电子、卫星导航、军事通信等市场均有非常广阔的应用空间。三安光电提前布局,依托国内市场,有望实现国产化合物半导体的弯道超车。

  公司连续五十余年致力于半导体分立器件行业,已建立从高端二极管、单双向可控硅、VDMOS 到第六代 IGBT,国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系,正逐步由单一器件供应商向整体解决方案供应商转变。

  拥有 4 英寸、 5 英寸与 6 英寸等多条功率半导体晶圆生产线,各尺寸晶圆生产能力 400 余万片/年,封装资源 60亿只/年,处于国内同行业的领先地位。

  加大研发投入,深度研发 TRENCH 工艺平台为基础的 IGBT、 SBD、 VDMOS 高端功率分立器件产品,实现主要产品的系列化:

  1) IGBT 产品团队重点推进第六代 IGBT 以及 MOS 产品的系列化工作;

  2)高端二极管团队重点推进 TRENCH SBD、 FRD 产品的系列化工作;

  4)进一步推进模块技术向高端应用领域拓展,重点突破中、大型模块的应用,实现公司技术推广由芯片向模块延伸,由单一产品向解决方案延伸。

  已通过 TS16949 体系认证(质量管理体系-汽车行业生产件与相关服务件的组织实施 ISO9001: 2008 的特殊要求),标志着公司质量管理体系又迈上一个新的台阶,为公司进军汽车领域奠定了基础。

  公司是国内最大的二极管生产企业,目标世界第一;最具特色的 SiP/QFN 及 MEMS 封装。在二极管制造能力方面公司具有世界水平,其芯片两千多种规格的核心技术掌握在公司手中。抓住国家“ 02 专项”基金项目的建设、投产、量产及新产品的利润增长点,带动公司从芯片设计、芯片制造到封装的全力水平提升,推进智能产品和汽车产品市场占有率,成为半导体行业世界第一集团军主力。

  截至 2016 年年中公司共申请专利达 263 项。其中国内外发明专利 164 项,具有完整的技术开发平台专利群。2016 年上半年公司被评为“ 2016 年中国半导体行业功率器件五强企业”。具备 ISO9001、 ISO14000、 OHSAS18000、 TS16949、 QC080000、 ISO27001 质量认证体系,其中, TS16949体系认证是质量管理体系-汽车行业生产件与相关服务件的组织实施 ISO9001: 2008 的特殊要求。

  新品方面:公司已经完成新节能型表面贴装项目,利用公司自有的节能型芯片和高密度引线框绿色封装专利技术,结合自动化封装工艺制作低功耗、低成本,薄型、高效、高品质的二极管产品。目前,该项目已经有 24 条全自动线在量产,产品广泛应用的智能手机、汽车、家电、仪器仪表、节能 LED 灯、平板电脑、及通讯等领域; 2016年完成新产品 E91、 E93、 iSGA、 eSGD、 MSMC、 MDF、 SMBF、 DFNA 的开发,以满足汽车电子、智能化 TV、穿戴设备、宽带终端以及云计算等市场的需求。

  台基股份主导产品为晶闸管、半导体模块等功率半导体器件及组件,在电力电子行业--大功率半导体器件细分领域的综合实力、器件产能和销售规模位居国内同业前列。公司器件产能 200 万只以上,是中国最具规模的功率半导体器件生产企业之一。产品广泛应用于钢铁冶炼、电机驱动、大功率电源、输变配电、轨道交通、电焊机、新能源等行业和领域。其中,钢铁冶金 16 年中期占比达 57%。

  公司在中频感应加热领域保持领先地位,在电机节能与控制领域占有一定份额。钢铁熔炼设备龙头企业的大功率半导体器件订单有所增多,高压 6500V 晶闸管增量明显,巩固了公司在中频感应加热领域的主导地位。

  通过持续技术创新,培育新的增长点。加快高端和新型电力电子器件的研发和市场化;研发焊接模块关键技术和 IGBT 封装技术;延展中小功率品种和规模,增强市场的覆盖面和产品的辐射面;跟踪和研发 SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)宽禁带半导体材料和器件技术。新品方面:公司持续进行的研发项目主要有 7.5KV 高压器件、高压快速晶闸管、焊接模块和 IGBT 模块、 ETO(新型高压场控可关断晶闸管器件)、大功率脉冲功率器件、高压模块等。

  开拓新市场,开发新客户。重点是国内高端客户、重点工程、军工应用、海外市场等高端领域。

  创新发展:习 创新中国 创新创业 科技体制改革 科技创新政策 协同创新 成果转化 新科技革命 基础研究 产学研 供给侧

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